本發(fā)明公開了一種量子點(diǎn),所述量子點(diǎn)為核殼結(jié)構(gòu),具體為CdZnSeS/CdZnSe/CdZnS/ZnS;所述CdZnS殼和ZnS殼之間,ZnS殼外均含有金屬鹵化物配體。本發(fā)明還公開了上述量子點(diǎn)的制備方法及上述量子點(diǎn)制得的量子點(diǎn)
復(fù)合材料。本發(fā)明公開的量子點(diǎn)半峰寬窄、光學(xué)性能優(yōu)異、穩(wěn)定性好;其制備方法中間殼層采用陰陽離子交替生長(zhǎng)的方法,同時(shí)除了引入金屬鹵化物前驅(qū)體,外殼還加入長(zhǎng)鏈烷醇,進(jìn)一步提高穩(wěn)定性。本發(fā)明公開的量子點(diǎn)復(fù)合材料以有機(jī)聚合物作為包裹物,不僅保持了原量子點(diǎn)優(yōu)異的光學(xué)性能,而且在耐高溫性能上相比原量子點(diǎn)具有重大改善,采用此方法制備的量子點(diǎn)復(fù)合材料制得的量子點(diǎn)擴(kuò)散板具有優(yōu)異的穩(wěn)定性能。
聲明:
“量子點(diǎn)、量子點(diǎn)復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)