本發(fā)明公開(kāi)了一種氧化銦錫納米線陣列
復(fù)合材料及其制備方法與在
太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用。氧化銦錫納米線陣列復(fù)合材料,其包括生長(zhǎng)在導(dǎo)電基底上的氧化銦錫納米線陣列,所述氧化銦錫納米線陣列上包裹有硫化亞銅納米顆粒。本發(fā)明提供的制備方法包括如下步驟:(1)以金納米顆粒為催化劑,通過(guò)化學(xué)氣相沉積法,在所述導(dǎo)電基底上沉積生長(zhǎng)所述氧化銦錫納米線陣列;(2)通過(guò)化學(xué)浴沉積法,在所述氧化銦錫納米線陣列上包覆CdS納米顆粒;(3)通過(guò)離子交換法,將所述CdS納米顆粒轉(zhuǎn)化成Cu2S納米顆粒;然后在惰性氣氛下,經(jīng)煅燒即得所述復(fù)合材料。使用本發(fā)明制備的Cu2S@ITO納米線陣列作為對(duì)電極材料組成的太陽(yáng)能電池后性能明顯優(yōu)于貴金屬Pt或Au,以及金屬基的過(guò)渡金屬硫?qū)倩衔镒鳛閷?duì)電極材料的太陽(yáng)能電池。
聲明:
“氧化銦錫納米線陣列復(fù)合材料及其制備方法與在太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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