本發(fā)明涉及一種磷酸根離子摻雜的SnS晶體/氮摻雜rGO
復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用,屬于
電池材料領(lǐng)域。一種磷酸根離子摻雜的SnS晶體/氮摻雜rGO復(fù)合材料,所述復(fù)合材料是由氮摻雜rGO納米片和沉積在其表面的磷酸根離子摻雜的SnS納米片組成,其中,所述摻雜的SnS晶體具有SnS晶體結(jié)構(gòu),PO43?嵌入SnS晶格層間,Sn與O、O與P通過共價(jià)鍵鍵合。本發(fā)明使用植酸注入到SnS晶格中,實(shí)現(xiàn)SnS本征電子電導(dǎo)率的顯著提高,同時(shí)有效緩解SnS晶體在鈉離子嵌入/脫出時(shí)帶來的體積膨脹問題。
聲明:
“磷酸根離子摻雜的SnS晶體/氮摻雜rGO復(fù)合材料及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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