本發(fā)明公開一種高電磁波屏蔽碳化硅陶瓷基復(fù)合材料及其制備方法。所述高電磁波屏蔽碳化硅陶瓷基復(fù)合材料包括碳化硅基體以及均勻分布在所述碳化硅基體周圍的Al2O3/RE2O3透波相和SiBCN吸波相構(gòu)成的透波/吸波網(wǎng)絡(luò)；所述高電磁波屏蔽碳化硅陶瓷基復(fù)合材料中所述Al2O3/RE2O3透波相的質(zhì)量百分含量為5~15wt%，所述SiBCN吸波相的質(zhì)量百分含量為10~25wt%；RE為Dy、Y、Er或Yb，優(yōu)選為Y。