本發(fā)明提供低損耗高抗氧化碳化硅纖維增強(qiáng)氧化鋯?鎢酸鋯陶瓷
復(fù)合材料的制備方法,包括以下步驟:SiC@SiO2核殼結(jié)構(gòu)的制備、表面沉積氧化鑭薄膜的SiC@SiO2核殼結(jié)構(gòu)的制備、低損耗高抗氧化碳化硅纖維的制備、球磨、干壓成型、燒結(jié)。本發(fā)明還提供了上述方法制得的低損耗高抗氧化碳化硅纖維增強(qiáng)氧化鋯?鎢酸鋯陶瓷復(fù)合材料。本發(fā)明提供的陶瓷復(fù)合材料為氧化鋯?鎢酸鋯復(fù)合而得,氧化鋯為正膨脹系數(shù)材料,鎢酸鋯為負(fù)膨脹系數(shù)材料,組合后的材料膨脹系數(shù)極低,避免了高溫環(huán)境下膨脹導(dǎo)致材料力學(xué)性能下降。
聲明:
“低損耗高抗氧化碳化硅纖維增強(qiáng)氧化鋯-鎢酸鋯陶瓷復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)