本發(fā)明提供了一種三元材料負載少層/棒狀MXene
復(fù)合材料的制備方法,包括以下步驟:取預(yù)設(shè)質(zhì)量的多層二維MXene粉末加入到插層劑中,通過磁力攪拌均勻,完全反應(yīng)后,進行離心處理,取下層沉淀;將下層沉淀加入到三頸燒瓶中,倒入去離子水,在氣體氛圍下通過超聲處理預(yù)設(shè)時間后,進行離心處理,取上層液,冷凍干燥后得到少層/棒狀MXene;將少層/棒狀MXene與三元材料混合制成電極漿料,涂覆在鋁箔上進行真空干燥,形成三元材料負載少層/棒狀MXene復(fù)合材料。本發(fā)明由于添加的MXene還可以抑制較高電壓下的M?H2相變并吸收Ni/Co/Mn原子,能夠降低金屬枝晶的產(chǎn)生率,從而增強并穩(wěn)定了富鎳正極結(jié)構(gòu)并使其保持出色的倍率和循環(huán)性能。
聲明:
“三元材料負載少層/棒狀MXene復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)