本發(fā)明公開(kāi)了一種雜化顆粒及其制備方法,包括絕緣陶瓷顆粒以及負(fù)載在絕緣陶瓷顆粒表面的低熔點(diǎn)導(dǎo)電粒子;絕緣陶瓷顆粒的粒徑比低熔點(diǎn)導(dǎo)電粒子的粒徑大,并且低熔點(diǎn)導(dǎo)電粒子在絕緣陶瓷顆粒表面上呈顆粒狀離散分布。本發(fā)明還公開(kāi)了一種絕緣
復(fù)合材料,包括具有電絕緣性的聚合物基體以及填充在聚合物基體內(nèi)的上述雜化顆粒,相鄰的雜化顆粒之間通過(guò)低熔點(diǎn)導(dǎo)電粒子熔融后連接起來(lái)形成導(dǎo)熱通路但不形成導(dǎo)電通路。這種絕緣復(fù)合材料通過(guò)相鄰的雜化顆粒之間形成的導(dǎo)熱通路,增強(qiáng)了導(dǎo)熱性能;同時(shí)由于相鄰的雜化顆粒之間沒(méi)有形成導(dǎo)熱回路,絕緣復(fù)合材料依然具有電絕緣性。
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“雜化顆粒及其制備方法、絕緣復(fù)合材料” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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