本發(fā)明涉及一種在Si/C
復合材料上生長
石墨烯的方法、利用該方法制得的材料以及其應用。該方法包括:(1)利用化學氣相沉積法在Si/C復合物上依次沉積鎳膜和銅膜,得到Cu/Ni/Si/C復合物;(2)將Cu/Ni/Si/C復合物置于氬氣和氫氣的環(huán)境下進行退火處理;(3)再利用化學氣相沉積法將經步驟(2)處理后的Cu/Ni/Si/C復合物置于甲烷和氫氣的氣氛下反應,再在氬氣的保護下冷卻至室溫,從而在Si/C復合材料上生長出石墨烯。該方法減少了石墨烯在電芯材料中的添加或對石墨烯薄膜的轉移、涂敷工藝,能夠避免破壞已有石墨烯的化學性質。
聲明:
“在Si/C復合材料上生長石墨烯的方法、利用該方法制得的材料以及其應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)