一種集成電路引線框架用
復(fù)合材料及其制造方法,屬于復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域。包括三個組元層,成三明治結(jié)構(gòu),第一組元層和第三組元層為鐵
鎳合金,即FeNi42,第二組元層為銅合金。按體積百分比分配為:第一組元層占12~18%,第二組元層占64~76%,第三組元層占12~18%。優(yōu)點在于,具有同硅
芯片相匹配的膨脹系數(shù),抗拉強度;成本比使用FeNi42合金降低了15%以上;具有較高的強度和較高的延伸率。
聲明:
“集成電路引線框架用復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)