本發(fā)明屬于有機(jī)高分子材料技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種適宜于5G體系應(yīng)用的低介電、低損耗的聚酰亞胺
復(fù)合材料,并進(jìn)一步公開(kāi)其制備方法與應(yīng)用。本發(fā)明所述低介電、低損耗的聚酰亞胺復(fù)合材料的制備方法,基于水熱合成的方式,利用氨基
硅烷改性劑對(duì)介孔材料進(jìn)行表面修飾改性,并將氨基修飾后的介孔材料引入到聚酰亞胺上,不僅有效提高了介孔材料與聚酰亞胺前驅(qū)體共混的分散均勻性和材料的成膜性,更有效降低了聚酰亞胺材料的介電常數(shù)和介電損耗,提高了材料的介電性能。
聲明:
“低介電、低損耗聚酰亞胺復(fù)合材料及制備方法與應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)