本發(fā)明公開(kāi)了一種碳納米
復(fù)合材料的制備方法,屬于
納米材料的研制領(lǐng)域。該方法利用CVD方法制備單層或多層
石墨烯;然后將石墨烯轉(zhuǎn)移到目標(biāo)襯底上;在石墨烯與目標(biāo)襯底的結(jié)構(gòu)上面涂覆光刻膠,用電感耦合等離子體方法轟擊,使光刻膠變性,然后泡掉殘余的光刻膠;將經(jīng)過(guò)轟擊的光刻膠、石墨烯和目標(biāo)襯底一并進(jìn)行高溫處理,使光刻膠碳化,形成碳納米復(fù)合材料。本發(fā)明所得到的密集分布的有較高的導(dǎo)電性能的大比面積的碳納米材料的厚度大概為50~200nm,各個(gè)碳納米線條的直徑大概為十幾納米,長(zhǎng)度為數(shù)十納米。
聲明:
“碳納米復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)