本發(fā)明公開(kāi)了一種SnO2/MoS2二維大孔
復(fù)合材料薄膜、制備方法及其應(yīng)用,屬于傳感器材料制備領(lǐng)域。本發(fā)明的制備方法,將PS模板浸泡使得SnCl4·5H2O溶液填充PS微球之間的空隙,之后進(jìn)行退火,使得PS球氣化,形成SnO2大孔薄膜;之后進(jìn)行水熱反應(yīng),在保持規(guī)則排列的SnO2大孔結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,引進(jìn)MoS2納米片,通過(guò)調(diào)控,使得PS模板→SnO2大孔薄膜→SnO2/MoS2大孔薄膜。本發(fā)明的SnO2/MoS2二維大孔復(fù)合材料薄膜,孔狀結(jié)構(gòu)有利于氣體排出,納米片的復(fù)合使得薄膜比表面積增大,表面活性位點(diǎn)增高,從而使得氣敏性能大大提高,氣敏性能更加優(yōu)異,對(duì)二氧化氮?dú)怏w有良好的氣敏響應(yīng)。
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“SnO2/MoS2二維大孔復(fù)合材料薄膜、制備方法及其應(yīng)用” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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