本發(fā)明提出一種C/SiC
復(fù)合材料及制備方法,采用CVI工藝和PIP工藝制備,在PIP工藝過程中,采用鋯前驅(qū)體進(jìn)行若干次PIP工藝致密化。本發(fā)明采用鋯前驅(qū)體溶液進(jìn)行PIP工藝致密化,因鋯前驅(qū)體的分子量小、粘度低,浸漬深度大,且鋯前驅(qū)體裂解產(chǎn)物為致密的粉末,不會造成體積膨脹而在材料內(nèi)部產(chǎn)生孔洞。
聲明:
“C/SiC復(fù)合材料及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)