本申請?zhí)峁┮环N氣相沉積裝置,包括底座、料板、沉積室,沉積室包括外筒體、排氣口,以及設(shè)于外筒體內(nèi)的排氣套筒;排氣套筒包括內(nèi)筒和套設(shè)在內(nèi)筒外部的套筒,內(nèi)筒與套筒圍合形成氣流通道,且套筒的側(cè)壁上設(shè)有通氣孔;料板上設(shè)有第一進氣孔,第一進氣孔位于套筒和內(nèi)筒之間;料板上還設(shè)有進氣結(jié)構(gòu),進氣結(jié)構(gòu)包括進氣孔陣列,進氣孔陣列以排氣套筒為中心呈放射狀分布;進氣孔陣列遠離排氣套筒的一側(cè)設(shè)有第四進氣孔。該設(shè)備能夠有效控制沉積過程中氣體的流動方向,使其與待處理坯體充分接觸。另外,本發(fā)明還提供一種利用該設(shè)備制備碳/碳
復(fù)合材料的方法,包括確定碳源氣體流量大小的準(zhǔn)則及隨CVD次數(shù)增加而遞減的原則。
聲明:
“氣相沉積裝置及碳/碳復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)