本發(fā)明公開一種量子點(diǎn)
復(fù)合材料及其制備方法,包括:核,所述核的材料為上轉(zhuǎn)換熒光
納米材料;間隔層,所述間隔層包覆所述核;量子點(diǎn),所述量子點(diǎn)結(jié)合在所述間隔層表面,所述間隔層用于降低所述上轉(zhuǎn)換熒光納米材料向所述量子點(diǎn)傳遞能量時的非輻射衰減速率。本發(fā)明在所述上轉(zhuǎn)換熒光納米材料和所述量子點(diǎn)中間加入所述間隔層是為了避免所述量子點(diǎn)和所述上轉(zhuǎn)換熒光納米材料直接接觸而產(chǎn)生有損耗的表面波。通過紅外光激發(fā)上轉(zhuǎn)換熒光納米材料,利用上轉(zhuǎn)換熒光納米材料的上轉(zhuǎn)換作用,將紅外光轉(zhuǎn)變?yōu)榭梢娸椛?,利用能量傳遞作用激發(fā)量子點(diǎn)發(fā)光,以達(dá)到紅外光激發(fā)量子點(diǎn)發(fā)光的目的。
聲明:
“量子點(diǎn)復(fù)合材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)