本發(fā)明公開了一種氧化銅/硒
復合材料薄膜,將低熔點(為221℃)、強光敏性的Se引入CuO,從而得到晶性良好,光、電及光電性能優(yōu)異的薄膜材料。本發(fā)明將Se引入CuO,并通過低溫退火使Se熔化,利用熔化的Se對CuO的浸潤來消除或減少CuO膜中的空洞和懸掛鍵等缺陷,從而提高薄膜的晶性、光、電及光電性能,克服了CuO結晶性差、熔點高且高溫分解的缺點,在
太陽能電池領域具有良好的應用前景。
聲明:
“氧化銅/硒復合材料薄膜” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)