本發(fā)明公開了一種集成電路器件的導(dǎo)熱
復(fù)合材料層及電子器件導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)封裝方法,采用化學(xué)氣相沉積或溶劑剝離方法制備單層、雙層、少層的氮化硼烯和
石墨烯,通過相應(yīng)的轉(zhuǎn)移技術(shù),先后轉(zhuǎn)移到功率
芯片的局部熱點上。以氮化硼烯作為電路的絕緣保護層,同時發(fā)揮其與石墨烯良好的熱傳導(dǎo)性能,可以在高熱流密度的大功率電子器件中滿足散熱需求。
聲明:
“集成電路器件的導(dǎo)熱復(fù)合材料層及電子器件導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)封裝方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)