本發(fā)明提供了一種核殼納米SiO
2@ZrO
2粒子?聚丙烯/馬來酸酐接枝聚丙烯
復(fù)合材料及制備方法。將納米SiO
2@ZrO
2在50%?50%純聚丙烯/馬來酸酐接枝聚丙烯中利用熔融共混法進(jìn)行不同濃度的摻雜,其中聚丙烯為等規(guī)聚丙烯;馬來酸酐接枝聚丙烯的接枝率為1%;氧化硅殼層厚度分別為3nm、7nm、11nm,且表面經(jīng)過KH570
硅烷耦合處理。本發(fā)明獲得的納米復(fù)合介質(zhì)的介電常數(shù)和擊穿場(chǎng)強(qiáng)同時(shí)得到顯著提高,當(dāng)本發(fā)明的納米SiO
2@ZrO
2取殼層厚度為11nm、摻雜濃度為1wt%時(shí),
儲(chǔ)能密度相比純PP提升52%,且介電損耗與純聚丙烯相比保持不變。該技術(shù)為薄膜電容器儲(chǔ)能密度的提升提供了技術(shù)基礎(chǔ)。
聲明:
“核殼納米氧化硅@氧化鋯粒子-聚丙烯馬來酸酐接枝聚丙烯復(fù)合材料及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)