本發(fā)明公開了一種GO?NiCoS?NiMoLDH復(fù)合材料，由氧化石墨烯GO、片狀NiCo2S4和納米花狀NiMoLDH構(gòu)成；其中，GO為基體材料，微觀形貌為納米片結(jié)構(gòu)，作用是導(dǎo)電基底利于電子的超高速輸運(yùn)；NiCo2S4的微觀結(jié)構(gòu)為納米片結(jié)構(gòu)，負(fù)載于GO的表面，作用是提供額外贗電容；NiMoLDH的微觀結(jié)構(gòu)為納米片結(jié)構(gòu)，嵌于NiCo2S4納米片結(jié)構(gòu)的表面，作用是增大NiCo2S4的比表面積；其制備方法為兩步水熱法，步驟1，GO?NiCo2S4的制備；步驟2，GO?NiCoS?NiMoLDH的制備。作為超級(jí)電容器電極材料的應(yīng)用，在0?0.5 V范圍內(nèi)充放電，在放電電流密度為1 A g?1時(shí)，比電容為1300?1400 F g?1；在放電電流密度為20A g?1時(shí)，在3000圈循環(huán)后的循環(huán)穩(wěn)定性為100%。具有以下優(yōu)點(diǎn)：形成由納米片組成納米花的分層結(jié)構(gòu)避免納米片的聚集；NiCo2S4和NiMoLDH之間還存在協(xié)同作用。