在將碳化硅浸漬于陶瓷纖維預制體的耐熱
復合材料的制造中,兼顧碳化硅的制膜的生長速度與包埋均一性。通過化學氣相沉積法或化學氣相浸漬法將碳化硅沉積于反應爐11所容納的預制體100進行制膜,通過加入供給于反應爐11的原料氣體及運載氣體的添加氣體的添加量來控制制膜的生長速度與包埋均一性。在制膜遵從一級反應的情況下,通過添加氣體的添加量來控制制膜種的附著概率,在制膜遵從朗謬爾-欣謝伍德型速度式的情況下,通過添加氣體的添加量進行控制,使得利用朗謬爾-欣謝伍德型速度式的零級反應區(qū)。
聲明:
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