本發(fā)明涉及一種
芯片背面
復(fù)合材料多層金屬化方法,屬集成電路或分立器件制造技術(shù)領(lǐng)域。所述方法是在硅襯底層減薄后進(jìn)行腐蝕或拋光處理,在其背面蒸鍍金接觸層,并在高溫(350℃~450℃)下使金接觸層進(jìn)行間隙擴(kuò)散,金與硅材料形成金-硅共溶層;再在金接觸層背面依次蒸鍍阻擋層和金屬保護(hù)層;所述阻擋層材料為錫銅合金,金屬保護(hù)層材料為錫或銅或銀或金。本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明利用金-硅共溶層合金效果降低芯片內(nèi)部殘余應(yīng)力,整體金屬化結(jié)構(gòu)采用多層金屬分布減少貴重材料消耗,利于大規(guī)模生產(chǎn)制造。
聲明:
“芯片背面復(fù)合材料多層金屬化方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)