本發(fā)明涉及一種多層鋁基
復(fù)合材料的真空鑄造設(shè)備,包括:主真空倉及與所述主真空倉內(nèi)側(cè)連通的副真空倉,所述主真空倉與所述副真空倉通過隔離門分隔,所述主真空倉的內(nèi)側(cè)設(shè)置有兩個中轉(zhuǎn)傳送帶,且兩個中轉(zhuǎn)傳送帶的一端通過U型傳送帶連接,所述副真空倉的內(nèi)側(cè)設(shè)置有兩個普通傳送帶,兩個所述普通傳送帶位于兩個所述中轉(zhuǎn)傳送帶遠(yuǎn)離所述U型傳送帶的一端;兩個所述中轉(zhuǎn)傳送帶之間形成用于SiC顆粒放置的中央存放區(qū),且中央存放區(qū)處設(shè)置有自動機(jī)械臂;所述主真空倉的內(nèi)側(cè)位于所述中轉(zhuǎn)傳送帶的上方設(shè)置有四個熔煉澆鑄爐,且所述主真空倉與所述副真空倉還與安裝在所述副真空倉上的抽真空組件連通。
聲明:
“多層鋁基復(fù)合材料的真空鑄造設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)