本實用新型公開了一種鋁碳化硅
復(fù)合材料制備的IGBT基板,所述IGBT基板包括焊接面和散熱面,所述焊接面為平面結(jié)構(gòu),所述散熱面為拱形結(jié)構(gòu),所述焊接面和散熱面均為
鋁合金層(2),所述焊接面和散熱面之間包括AlSiC層(1),所述焊接面、AlSiC層(1)和散熱面為一體結(jié)構(gòu);所述IGBT基板的兩側(cè)還包括半導(dǎo)體制冷片(5),所述半導(dǎo)體制冷片(5)的制冷端與所述IGBT基板的兩側(cè)貼合。本實用新型所述IGBT基板具有較高的熱導(dǎo)率和與IGBT封裝材料相匹配的熱膨脹系數(shù),散熱速度快。
聲明:
“鋁碳化硅復(fù)合材料制備的IGBT基板” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)