本發(fā)明公開了一種
復(fù)合材料防偽元件及該防偽元件的制備方法和應(yīng) 用,該防偽元件至少包含由LiNbO3基層和沉積于該LiNbO3基層上至少部 分區(qū)域的Co基非晶磁性薄膜層所形成的復(fù)合層,并且,所述Co基非晶磁 性薄膜層的厚度為50-300nm。本發(fā)明提供的新型復(fù)合防偽元件,將非晶軟 磁材料沉積在鈮酸鋰基層上,在不改變合金成分的情況下,磁矩(飽和磁 化強度)會異常增加,該磁特征不可能僅通過測定合金成分而實現(xiàn)仿冒, 提高了仿冒難度,同時改善了目前非晶材料磁特征信號弱,不利于檢測的 缺陷,更利于非晶材料在防偽領(lǐng)域的應(yīng)用。
聲明:
“復(fù)合材料防偽元件及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)