本發(fā)明公開了一種離子注入及離子束濺射輔助在納米二氧化鈦中制備硅量子點(diǎn)的制備方法。該方法過程包括:將基片和靶材清洗,置入濺射室內(nèi),在真空和氬氣的保護(hù)條件下,預(yù)濺射清洗;以一定的引出電流、電壓的氬離子束對(duì)二氧化鈦進(jìn)行濺射,在基片上沉積二氧化鈦薄膜,經(jīng)退火后,得到納米二氧化鈦薄膜;再以一定的能量、注入劑量進(jìn)行三次硅離子的注入,得到硅摻雜的二氧化鈦薄膜,經(jīng)退火后,得到硅量子點(diǎn)摻雜的納米二氧化鈦薄膜。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于,方法簡單條件溫和,過程中能通過調(diào)節(jié)離子注入工藝來自由調(diào)節(jié)硅量子點(diǎn)的含量、尺寸、形態(tài)及分布,并且克服了量子點(diǎn)時(shí)易團(tuán)聚的缺點(diǎn),從而調(diào)節(jié)了摻雜的二氧化鈦薄膜的光吸收特性。