本發(fā)明提供一種等離子體刻蝕裝置及其邊緣環(huán),邊緣環(huán)采用
復合材料,復合材料包括第一材料及位于第一材料中的第二材料,以通過第二材料減少邊緣環(huán)表面積累的電荷量;本發(fā)明通過寬禁帶復合材料,可提高電荷遷移速率,減少邊緣環(huán)表面積累的電荷量;通過高導電率復合材料,可及時引流電荷,以降低靜電吸附作用力,減弱邊緣環(huán)表面吸附作用,減少邊緣環(huán)表面積累的電荷量;通過P型復合材料或N型復合材料,可在外電場的作用下,使得邊緣環(huán)表面的電荷與副產(chǎn)物之間形成同種電荷的排斥,以減少邊緣環(huán)表面積累的電荷量;及時排出的副產(chǎn)物可減少清洗反應(yīng)腔的頻率,提高產(chǎn)能;降低刻蝕工藝中產(chǎn)生的缺陷,提升良率。
聲明:
“等離子體刻蝕裝置及其邊緣環(huán)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)