3O4氣敏材料及其制備方法和在傳感器中的應(yīng)用,復(fù)合材料"> 3O4氣敏材料及其制備方法和在傳感器中的應(yīng)用,本發(fā)明涉及傳感器氣敏材料的制備領(lǐng)域,尤其涉及一種ZnO/Sn3O4氣敏材料及其制備方法和在傳感器中的應(yīng)用。所述氣敏材料由ZnO納米顆粒和Sn3O4納米花組成;其中,所述Sn3O4納米花由分級的Sn3O4納米片堆疊而成,所述ZnO納米顆粒原位生長在Sn3O4納米片上。本發(fā)明提出的通過水熱方法制備的ZnO納米顆粒修飾的分級花狀Sn3O4敏感材料,利用ZnO納米粒子對分級花狀Sn3O4材料進(jìn)行修飾,合成ZnO/Sn3O4復(fù)合材料,通過構(gòu)建異質(zhì)結(jié)構(gòu),可以產(chǎn)生獨(dú)特的">

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ZnO/Sn3O4氣敏材料及其制備方法和在傳感器中的應(yīng)用

1005   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 16:53:48
本發(fā)明涉及傳感器氣敏材料的制備領(lǐng)域,尤其涉及一種ZnO/Sn3O4氣敏材料及其制備方法和在傳感器中的應(yīng)用。所述氣敏材料由ZnO納米顆粒和Sn3O4納米花組成;其中,所述Sn3O4納米花由分級的Sn3O4納米片堆疊而成,所述ZnO納米顆粒原位生長在Sn3O4納米片上。本發(fā)明提出的通過水熱方法制備的ZnO納米顆粒修飾的分級花狀Sn3O4敏感材料,利用ZnO納米粒子對分級花狀Sn3O4材料進(jìn)行修飾,合成ZnO/Sn3O4復(fù)合材料,通過構(gòu)建異質(zhì)結(jié)構(gòu),可以產(chǎn)生獨(dú)特的界面效應(yīng)和異于其單組份的特殊性能,提高傳感器的性能。復(fù)合材料的初始電阻遠(yuǎn)大于單一氧化物半導(dǎo)體的電阻,提高了傳感器的響應(yīng)。
聲明:
“ZnO/Sn3O4氣敏材料及其制備方法和在傳感器中的應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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