本發(fā)明公開了銦鐵凸點(diǎn)微晶材料及銦鐵凸點(diǎn)微晶壓電盤制備方法,本發(fā)明的銦鐵凸點(diǎn)微晶材料及銦鐵凸點(diǎn)微晶壓電盤制備方法,是在厚度小于4mm的工業(yè)純鐵或鋼或含鐵超過40%(Wt%)合金材料表面,設(shè)一含銦超過50%(Wt%)且含鐵超過10%(Wt%)且含銦和鐵共超過70%(Wt%)的
復(fù)合材料層,在復(fù)合材料層表面設(shè)有許多個(gè)凸點(diǎn)微晶,每個(gè)凸點(diǎn)微晶高度不大于100nm、直徑不大于100nm的頂部為球狀或近似球狀,或凸點(diǎn)微晶高度不大于100nm的近似橢圓、橢圓最大長度不超過200nm的頂部為球狀或近似球狀或近似橢圓狀,凸點(diǎn)微晶含銦超過50%(Wt%)且含銦和鐵共超過70%(Wt%),凸點(diǎn)微晶與復(fù)合材料層成為一體;零件表面復(fù)合材料層和基體材料成為一體,形成銦鐵凸點(diǎn)微晶材料。
聲明:
“銦鐵凸點(diǎn)微晶材料及銦鐵凸點(diǎn)微晶壓電盤制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)