本發(fā)明公開了一種陣列基板及陣列基板的制備方法,陣列基板包括:基底;第一晶體管,第一晶體管設于基底一側,第一晶體管包括沿陣列基板的豎直方向?qū)盈B設置的金屬氧化物層、多晶
復合材料層以及第一
多晶硅層,多晶復合材料層的導電性大于金屬氧化物層的導電性,且小于第一多晶硅層的導電性;第二晶體管,第二晶體管設于基底的設有第一晶體管的同一側,第二晶體管包括第二多晶硅層。多晶復合材料層的導電性強于金屬氧化物層的導電性,在第一晶體管中,多晶復合材料層的導電性介于第一多晶硅層與金屬氧化物層的導電性之間,提高了第一晶體管的電性均勻性,減少所需的晶體管數(shù)量,在應用于顯示面板時可提高像素密度,降低晶體管功耗以及漏電風險。
聲明:
“陣列基板及陣列基板的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)