本發(fā)明公開了一種適用于復雜變化電磁環(huán)境下的晶體硅
光伏組件,包括從上至下依次設置的納米電磁屏蔽增透膜層、前封裝材料層、上封裝膠膜層、晶體硅電池層、下封裝膠膜層和后封裝材料層,增透膜層由納米
復合材料組成,所述納米復合材料為SiO
2包覆透明導電金屬氧化物。本發(fā)明中由SiO
2包覆導電金屬氧化物復合
納米材料組成的導電性能良好的鍍膜層,可以有效的吸收,引導電磁場的能量,因而能夠起到電磁屏蔽作用,從而大大提高了光伏組件的輸出功率。
聲明:
“適用于復雜變化電磁環(huán)境下的晶體硅光伏組件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)