本發(fā)明公開(kāi)了一種
儲(chǔ)能電容器用超低填料兼具高儲(chǔ)能密度的電介質(zhì)材料及其制備方法,屬于儲(chǔ)能電容器電介質(zhì)材料制備技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明解決了現(xiàn)有儲(chǔ)能介質(zhì)材料的儲(chǔ)能密度較低的技術(shù)問(wèn)題。本發(fā)明采用二氧化硅包覆的二氧化鈦納米帶作為復(fù)合填料改性PVDF,在超低填料含量下,二氧化鈦納米帶的大比表面積和高介電常數(shù)屬性增強(qiáng)PVDF基
復(fù)合材料的界面極化的同時(shí),二氧化鈦納米帶外表面包覆寬禁帶的二氧化硅層起到電子限域作用,顯著改善了PVDF基復(fù)合材料的絕緣特性,在二氧化鈦納米帶復(fù)合陶瓷的內(nèi)外層協(xié)同作用下,綜合提高了儲(chǔ)能特性,使復(fù)合材料的擊穿場(chǎng)強(qiáng)達(dá)到390kV/mm,儲(chǔ)能密度達(dá)到8.86J/cm3,儲(chǔ)能效率高達(dá)66.28%。
聲明:
“儲(chǔ)能電容器用超低填料兼具高儲(chǔ)能密度的電介質(zhì)材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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