本發(fā)明涉及一種低溫還原制備高首效氧化亞硅的方法及其應(yīng)用,屬于
儲(chǔ)能材料技術(shù)領(lǐng)域,包括以下步驟:將氧化亞硅和碳源混合,于600℃?1200℃保護(hù)氣氣氛中,保溫處理,得到碳源包覆硅氧基
復(fù)合材料;將上述碳源包覆硅氧基復(fù)合材料、鎂粉和三氯化鋁混合后,150℃?500℃保護(hù)氣氣氛中,保溫處理,獲得復(fù)合材料的還原產(chǎn)物,經(jīng)過(guò)酸洗、醇洗和水洗,干燥得到高首效氧化亞硅,本發(fā)明采用低溫還原方式,一方面可以避免高溫下材料晶體尺寸長(zhǎng)大,在實(shí)現(xiàn)高首效的同時(shí)保證材料的循環(huán)穩(wěn)定性;另一方面低溫處理,可以有效保留包覆后形成的無(wú)定形碳層,同時(shí)可以有效避免反應(yīng)過(guò)程中碳層擴(kuò)散至材料空隙內(nèi)部,無(wú)需二次包覆。
聲明:
“低溫還原制備高首效氧化亞硅的方法及其應(yīng)用” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)