本發(fā)明提供了一種計算材料的中子屏蔽性能的方法、系統(tǒng)及介質(zhì),包括:步驟1:對樣品進行微觀表征,統(tǒng)計樣品的微觀組織信息;步驟2:根據(jù)微觀組織信息,計算屏蔽顆粒的個數(shù)和基底材料的吸收截面;步驟3:計算
復(fù)合材料的有效吸收截面;步驟4:將復(fù)合材料的有效吸收截面作為基底材料的吸收截面,返回步驟2繼續(xù)執(zhí)行,直到計算完所有屏蔽顆粒,得到復(fù)合材料的總體中子衰減系數(shù)。本發(fā)明可以根據(jù)材料中所含有多種微觀顆粒的尺寸分布,形狀,體積分數(shù)等信息對材料的中子屏蔽性能的進行定量計算;解決了傳統(tǒng)勻質(zhì)的中子屏蔽性能計算方法中忽略了材料中多種顆粒和相的微觀尺寸分布,形狀等信息對中子屏蔽性能的影響的問題。
聲明:
“計算材料的中子屏蔽性能的方法、系統(tǒng)及介質(zhì)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)