本發(fā)明公開(kāi)一種雙位閃存存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)及其制造方法,該存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)包含位于基材上的選擇柵極氧化物層、容置于選擇柵極氧化物層中的選擇柵極,選擇柵極兩側(cè)各有一組復(fù)合柵極層。各別復(fù)合柵極層包含浮置柵極氧化層、浮置柵極、
復(fù)合材料層、控制柵極與間隙壁。浮置氧化硅位于基材上。浮置柵極位于浮置氧化層上。復(fù)合材料層位于浮置柵極上。控制柵極位于復(fù)合材料層上。間隙壁位于控制柵極上。
聲明:
“雙位閃存存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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