一種聚吡咯/自摻雜富缺陷氧化錫異質(zhì)結(jié)納米復(fù)合光催化材料的制備方法,將自摻雜富缺陷氧化錫異質(zhì)結(jié)材料通過化學(xué)鍵絡(luò)合的形式負(fù)載分散于Ppy而得到的納米
復(fù)合材料;自摻雜富缺陷氧化錫選自Sn摻雜的非化學(xué)計(jì)量比或混合價(jià)態(tài)錫氧化物組成的富缺陷氧化錫SnO
2?x。本發(fā)明利用自摻雜富缺陷氧化錫異質(zhì)結(jié)材料可見光響應(yīng)的氧化還原能力、聚吡咯的導(dǎo)電性和光傳導(dǎo)特性,以及不同組分間具有化學(xué)鍵合的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu),從而有利于電子空穴分離,獲得優(yōu)異的光催化性能。同時(shí),聚吡咯易塑型的特點(diǎn)能有效避免粉體材料的回收困難問題,因而,本發(fā)明制得的聚吡咯/自摻雜富缺陷氧化錫納米復(fù)合材料是一種便于回收的新型環(huán)保光催化材料。
聲明:
“聚吡咯/自摻雜富缺陷氧化錫異質(zhì)結(jié)納米復(fù)合光催化材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)