本發(fā)明提供一種應(yīng)用TSV技術(shù)的電子器件及其制作方法，涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供的應(yīng)用TSV技術(shù)的電子器件包括至少一個半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底上設(shè)置有至少一個連接孔，連接孔貫穿半導(dǎo)體襯底，連接孔內(nèi)填充有導(dǎo)電體，導(dǎo)電體的一端用于與第一電子元件電連接，導(dǎo)電體的另一端用于與第二電子元件電連接，導(dǎo)電體具有第二熔點(diǎn)，導(dǎo)電體由導(dǎo)電復(fù)合材料在室溫下自身內(nèi)部發(fā)生反應(yīng)后形成，導(dǎo)電復(fù)合材料為由具有第一熔點(diǎn)的低熔點(diǎn)金屬和熔點(diǎn)在500℃以上的高熔點(diǎn)粉末部分合金化后形成的混合物，第二熔點(diǎn)高于所述第一熔點(diǎn)，且第一熔點(diǎn)在300℃以下。本發(fā)明的技術(shù)方案能夠簡單快速地應(yīng)用TSV技術(shù)實(shí)現(xiàn)不同電子元件的電連接。