本發(fā)明公開了一種相變存儲器(PCM)單元,其可以包括PCM層。第一電極和第二電極設置在所述PCM層的相對側上。第一電極、第二電極或兩者包括設置在上阻擋層和下阻擋層之間的金屬陶瓷
復合材料層,并且其中,所述金屬陶瓷復合材料層提供具有10mOhm?cm到1000mOhm?cm的電阻率的對應電極。
聲明:
“相變存儲器結構和器件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)