本發(fā)明涉及一種半導體熱處理真空爐熱場結構,包括:熱場箱,位于真空爐內(nèi),包括箱體及箱蓋,箱體一側開口與箱蓋密合,箱體與箱蓋均為保溫碳氈材料;設置在熱場箱底部的爐床;裝載臺放置在爐床上,包括兩側壁,側壁上平行設有若干用于放置工件的凹槽;加熱器,設置在裝載臺上方和/或下方,與外部電極連接。本發(fā)明通過在熱場箱的內(nèi)壁的保溫碳氈表面噴涂耐高溫涂料,并在箱體出口的邊緣、箱蓋和風窗處除了噴涂耐高溫涂料外,還包裹一層碳碳
復合材料,增強了熱場箱的防氧化效果,增加了其使用壽命,提高了保溫效果;通過上下設置的加熱器中并排設置的加熱棒對工件進行均衡加熱,不僅縮短加熱時間,且提高了熱處理效果,減少了能耗,降低了成本。
聲明:
“半導體熱處理真空爐熱場結構” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)