一種硫化物復(fù)合納米薄膜的制備方法，涉及電容器用復(fù)合材料。制備Co9S8納米針狀陣列；制備Co9S8?CuS三維納米復(fù)合結(jié)構(gòu)；制備Co9S8?MoS2三維納米復(fù)合結(jié)構(gòu)；制備Co9S8?NiS2三維納米復(fù)合結(jié)構(gòu)。通過(guò)不同的濃度和比例的金屬鹽和硫脲的配比，通過(guò)簡(jiǎn)單水熱合成的方法控制反應(yīng)時(shí)間和溫度，在碳布上制備Co9S8?CuS等三維納米復(fù)合結(jié)構(gòu)，制備出多種金屬硫化物納米結(jié)構(gòu)包裹Co9S8納米針狀陣列的三維復(fù)合結(jié)構(gòu)，該類(lèi)結(jié)構(gòu)形貌規(guī)則，且具有較大的比表面積，均勻穩(wěn)定的電學(xué)性能，將其作為工作電極材料應(yīng)用于超級(jí)電容器中，表現(xiàn)出優(yōu)異的電學(xué)性能。該方法具有重復(fù)性高、操作簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)，可大規(guī)模生產(chǎn)。