本發(fā)明是一種太陽光譜吸收膜層設(shè)計方法。本發(fā)明通過確定預(yù)選材料的介電函數(shù);復(fù)合不同配比材料的介電函數(shù),計算得到介電函數(shù)曲線,篩選滿足要求的
復(fù)合材料配比;構(gòu)建膜層結(jié)構(gòu)模型,確定膜層結(jié)構(gòu)模型的物理數(shù)據(jù);針對單一物理變量進行改變和優(yōu)化,選取復(fù)合要求的或者最優(yōu)的結(jié)構(gòu)模型;根據(jù)篩選的復(fù)合材料配比和最優(yōu)結(jié)構(gòu)模型,選擇、制定和優(yōu)化膜層制備工藝。本發(fā)明對非磁性的高太陽光譜吸收率膜層的制備工藝進行設(shè)計與優(yōu)化,可以顯著縮小實驗過程中部分參數(shù)的選取范圍,減少錯誤實驗所造成的人物力損耗,更加快速高效的確定最優(yōu)工藝,從而提高膜層開發(fā)和生產(chǎn)的效率。
聲明:
“太陽光譜吸收膜層設(shè)計方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)