氧化錫空心
納米材料的制備方法,涉及一種納米 材料的制備,尤其是涉及一種以氧化鋅為犧牲模板制備氧化錫 空心納米材料的方法。提供一種制備各種形態(tài)的 SnO2空心納米材料的通用方法。 步驟為制備ZnO納米材料,制備 SnH4前驅(qū)體,產(chǎn)生的氣體 SnH4通過 N2攜帶進(jìn)入一個(gè)氣囊中備用,生 長(zhǎng)SnO2外殼,即在硅片襯底上 生長(zhǎng)得到具有核-殼結(jié)構(gòu)的 ZnO/SnO2
復(fù)合材料,最后除去 ZnO內(nèi)核,即得到保持ZnO初始外形的 SnO2空心納米材料。優(yōu)點(diǎn)是ZnO 納米材料具有極其豐富的形態(tài), SnO2空心材料外壁的結(jié)晶度良 好,SnO2空心材料外壁的厚度可 控。
聲明:
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