本發(fā)明屬于導(dǎo)電高分子
復(fù)合材料的制造技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種具有負(fù)溫度電阻系數(shù)(NTC)特征的導(dǎo)電高分子復(fù)合材料的制備方法。本發(fā)明公開(kāi)一種具有負(fù)溫度系數(shù)效應(yīng)的聚合物基溫敏電阻材料,其原料及其重量含量為:聚合物1+聚合物288.5~96.9份,導(dǎo)電填料0.1~1.5份,相容劑3~10份;并且,導(dǎo)電填料選擇性分布在聚合物2相中;聚合物1的MFI≤7g/10min,聚合物2的MFI≥12g/10min;聚合物2的熱膨脹系數(shù)大于聚合物1的熱膨脹系數(shù),導(dǎo)電填料為二維導(dǎo)電填料;聚合物1與聚合物2的質(zhì)量配比為3︰7~7︰3。本發(fā)明所得電阻材料逾滲值低;且所得電阻材料的NTC特性可重復(fù)性好,便于長(zhǎng)期使用。
聲明:
“具有負(fù)溫度系數(shù)效應(yīng)的聚合物基溫敏電阻材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)