本發(fā)明涉及
半導(dǎo)體材料CuO@Ag的制備及應(yīng)用,包括:將
納米材料CuO在超聲條件下分散于含有Ag
+離子及化合物的溶液中,使納米CuO均勻分散,并保證納米CuO對Ag
+離子及化合物的吸附達(dá)到飽和;將上述溶液離心分離,將沉淀即吸附了Ag
+離子及化合物的納米CuO漂洗后攪拌分散在一定濃度的活化劑溶液中,充分反應(yīng)一段時間,然后分離、漂洗、干燥,即得CuO@Ag納米半導(dǎo)體
復(fù)合材料。該方法操作簡單,時間短,成本低,環(huán)境友好,重復(fù)性好,效率高,能快速有效的制備納米半導(dǎo)體復(fù)合材料,具有普適性和規(guī)模生產(chǎn)價值。本發(fā)明制備的CuO@Ag納米半導(dǎo)體復(fù)合材光降解甲基橙的效率,在光催化等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
聲明:
“半導(dǎo)體材料CuO@Ag的制備方法及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)