一種抗總劑量輻照的SOI器件及其制備方法,屬于輻射防護(hù)材料領(lǐng)域。本發(fā)明解決目前的高低Z交替疊層的涂層工藝復(fù)雜,需要進(jìn)行多次涂覆并干燥,耗時較長且防護(hù)能力有限的問題;也無法實現(xiàn)具有柔性的技術(shù)問題。本發(fā)明由MAX相陶瓷基體,經(jīng)過刻蝕后,得到層狀結(jié)構(gòu)的Ti3C2Tx材料,然后通過原子層沉積技術(shù)將高Z金屬沉積到Mxene層狀結(jié)構(gòu)中得到
復(fù)合材料,再將復(fù)合材料與樹脂基體進(jìn)行混合后涂覆于SOI器件表面,即得到輻射防護(hù)涂層。本發(fā)明的材料可用于生活中的防輻射服、醫(yī)療方面及核反應(yīng)中所需的和防護(hù)領(lǐng)域。
聲明:
“抗總劑量輻照的SOI器件及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)