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聚苯胺/n-型單晶硅復(fù)合電極材料及其制備方法

965   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 17:11:18
本發(fā)明提供了聚苯胺/n-型單晶硅復(fù)合電極材料及其制備方法。該聚苯胺/n-型單晶硅復(fù)合材料,為磺化聚苯胺體系通過苯環(huán)上的C原子與單晶硅表面的Si原子以Si-C共價(jià)鍵的形式與單晶硅表面相連。其制備方法是將對溴苯胺嫁接到單晶硅表面,再以此為基底材料通過聚合反應(yīng)制備聚苯胺/n-型復(fù)合電極,并在聚合有機(jī)鏈的苯環(huán)上鏈接磺酸根,最終得到磺酸修飾的聚苯胺/n-型單晶硅復(fù)合材料。該材料在模擬太陽光的照射下,光電流密度值可以達(dá)到3.446mA·cm-2,開路電壓達(dá)到-0.300V。
聲明:
“聚苯胺/n-型單晶硅復(fù)合電極材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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