本發(fā)明涉及用于定向凝固半導(dǎo)體級(jí)
多晶硅錠料的方法,該方法通過在由氮化硅制成的或由碳化硅和氮化硅
復(fù)合材料制成的坩堝中使半導(dǎo)體級(jí)硅錠料結(jié)晶,還任選包括將進(jìn)料硅材料熔化,從而改進(jìn)對(duì)凝固過程的控制以及使錠料中氧和碳雜質(zhì)的含量減少,其中將坩堝底部的壁厚加工成特定尺寸,使得穿過底部的熱阻降至至少與穿過支撐物的熱阻相同或比其更低的水平,該支撐物在下面承載坩堝。本發(fā)明還涉及由氮化硅或碳化硅和氮化硅的復(fù)合材料制成的坩堝,其中將坩堝底部的厚度加工成特定尺寸,使得穿過底部的熱阻降至至少與穿過支撐物的熱阻相同或比其更低的水平,該支撐物在下面承載坩堝。
聲明:
“用于使半導(dǎo)體級(jí)多晶硅錠料定向凝固的方法和坩堝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)