本發(fā)明提供了一種協(xié)同提升聚合物電介質(zhì)擊穿強(qiáng)度和介電常數(shù)的方法,將聚合物材料表面濺射上納米金顆粒,利用流延法和熱壓法制備金屬/聚合物介電
復(fù)合材料,通過納米金顆粒與聚合物之間形成的微電容來提升介電常數(shù)、納米金顆粒引起的庫倫阻塞效應(yīng)來增強(qiáng)擊穿強(qiáng)度,實(shí)現(xiàn)介電常數(shù)和擊穿強(qiáng)度的協(xié)同提升。該方法制備的濺射少量納米金顆粒的復(fù)合材料的介電常數(shù)最高可達(dá)11.5,擊穿強(qiáng)度最高可達(dá)到622.87kV/mm,最高
儲(chǔ)能密度可達(dá)13.02J/cm3。該方法簡(jiǎn)單,易操作,容易實(shí)現(xiàn)批量化生產(chǎn),且具有通用性,可用于改善其他聚合物薄膜的介電性能。
聲明:
“協(xié)同提升聚合物電介質(zhì)擊穿強(qiáng)度和介電常數(shù)的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)