本申請案涉及用于半導體裝置組合件的半導體裸片邊緣保護和相關聯(lián)系統(tǒng)和方法。公開了具有受保護邊緣的半導體裸片和用于產(chǎn)生所述半導體裸片的方法。此外,所公開方法提供在不使用切割技術的情況下使所述半導體裸片分離。在一個實施例中,在包含半導體裸片的襯底的前側上形成溝槽。個別溝槽對應于所述襯底的劃線,其中每一溝槽具有大于所述半導體裸片的最終厚度的深度??稍谒鰷喜鄣膫缺谏闲纬?a href="http://www.189000b.com/meet_show-74.html" target="_blank">復合材料層以保護所述半導體裸片的邊緣。所述復合材料層包含將所述半導體裸片屏蔽于電磁干擾的金屬層。隨后,可從后側薄化所述襯底以從所述襯底單分個別半導體裸片。
聲明:
“用于半導體裝置組合件的半導體裸片邊緣保護和相關聯(lián)系統(tǒng)和方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)