本發(fā)明涉及一種單片層
石墨烯的制備方法,屬于石墨烯的制備技術(shù)。該方法采用單片層氧化石墨烯為原料,按體積比,在冰水浴的條件下將濃硫酸滴加入單層氧化石墨烯水分散液中,配制成含硫酸質(zhì)量濃度為70%-90%的反應(yīng)液,在60℃-100℃下反應(yīng)后,用去離子水稀釋,再冷卻至室溫,過(guò)濾;用去離子水洗滌濾餅,再將濾餅置于真空烘箱中,在65-75℃下干燥得到黑色石墨烯。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于,原料成本低廉,無(wú)毒害;操作簡(jiǎn)單,適于大規(guī)模生產(chǎn)。所制得的單層石墨烯可用于微電子元件、鋰離子電池、燃料電池和納米增強(qiáng)
復(fù)合材料等領(lǐng)域,應(yīng)用前景廣闊。
聲明:
“單片層石墨烯的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)