本發(fā)明涉及一種記憶存儲器及其制備方法,它包括半導體基板、相隔設置于半導體基板上的兩個電極、連接兩個電極的薄膜層,所述的薄膜層由包覆有導電聚合物的貴金屬納米粒子組成。為了制備該記憶存儲器,包括以下步驟:(a)在半導體基板上旋涂一層光刻膠,并刻出空腔;(b)在空腔內(nèi)沉積金屬形成相隔的兩個電極;(c)制備貴金屬納米粒子/導電聚合物
復合材料;(d)將復合材料用去離子水稀釋后滴入所述相隔的兩個電極之間。通過在兩個電極間連接薄膜層,該薄膜層由包覆有導電聚合物的貴金屬納米粒子組成,使得記憶存儲器結構簡單、尺寸小、集成度高、成本低、高響應信號、高穩(wěn)定性。
聲明:
“記憶存儲器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)